Everspin推出的第一款STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最新的MRAM技術(shù)是利用自旋扭矩傳輸特性，即利用極化電流來(lái)控制電子的自旋，從而建立自由層的所需磁狀態(tài)，從而對(duì)存儲(chǔ)器陣列中的位進(jìn)行編程或?qū)懭搿?
與Toggle MRAM相比，自旋轉(zhuǎn)矩MRAM或
STT-MRAM可顯著降低開(kāi)關(guān)能量，并具有高度可擴(kuò)展性，可實(shí)現(xiàn)更高密度的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。我們的第三代MRAM技術(shù)使用垂直MTJ。我們開(kāi)發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設(shè)計(jì)，可提供長(zhǎng)數(shù)據(jù)保持率，小單元尺寸，更高密度，高耐用性和低功耗。
Everspin推出的第一款STT-MRAM產(chǎn)品采用ST-DDR3，這是一種類(lèi)似JEDEC的DDR3接口，并需要進(jìn)行一些修改以充分利用MRAM技術(shù)的持久性。這些產(chǎn)品的性能如同持久性DRAM，但無(wú)需刷新。其他產(chǎn)品計(jì)劃將利用高速串行接口用于各種嵌入式應(yīng)用。
本文關(guān)鍵詞：
STT-MRAM
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