2018年硅晶圓及導(dǎo)線架還是會供不應(yīng)求，價(jià)格將持續(xù)調(diào)漲，DRAM、MOSFET缺貨情況難以緩解，MCU交期雖然可以因進(jìn)入淡季而縮短，但是交期仍長達(dá)3個(gè)月，比正常安全庫存時(shí)期高出1～1.5個(gè)月。至于NAND/NOR Flash則因新產(chǎn)能開出，缺貨壓力將獲得緩解。

 

至于半導(dǎo)體硅晶圓，因?yàn)橹饕?yīng)商近幾年都沒有擴(kuò)產(chǎn)，2017年正好趕上半導(dǎo)體廠晶圓產(chǎn)能大量開出，2017年全年處于缺貨情況，2018年也將供不應(yīng)求；為確保2018年硅晶圓供貨穩(wěn)定，全球半導(dǎo)體大廠采預(yù)付訂金方式確保明年貨源，價(jià)格則每季調(diào)漲。環(huán)球晶圓、嘉晶、合晶、臺勝科等硅晶圓供應(yīng)商營運(yùn)態(tài)勢良好。 

半導(dǎo)體導(dǎo)線架同樣面臨缺貨問題。由于國際IDM廠全力搶占汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)市場，對導(dǎo)線架需求大增，但主要供應(yīng)商近年來持續(xù)整并，2017年下半年供應(yīng)已經(jīng)非常緊張，2018年上半年也會輕微缺貨，價(jià)格可望續(xù)漲，對于長華科、界霖等供應(yīng)商非常有利。

 

關(guān)于存儲器，DRAM 在2017年下半年缺貨嚴(yán)重，2018年上半年將持續(xù)缺貨，雖然業(yè)者愿意提高產(chǎn)能，不過新產(chǎn)能開出時(shí)間將定在明年底及后年初，所以2018年上半年DRAM位元供給成長只能依靠1x納米升級，整體來說還是供不應(yīng)求的，價(jià)格持續(xù)看漲，華邦電、南亞科、威剛等將持續(xù)受惠。

 

NAND Flash及NOR Flash明年上半年缺貨情況則可獲得紓解。包括三星、東芝、SK海力士、美光等下半年加快3D NAND產(chǎn)能及技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率已持續(xù)提升，明年產(chǎn)能開出后就可充足供貨。NOR Flash同樣因長江儲存及中芯國際產(chǎn)能開出，加上力晶投入代工市場，明年上半年產(chǎn)能增加，需求端則進(jìn)入傳統(tǒng)淡季，市況可望趨于供需平衡。

 

至于MCU市場，由于汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)大量導(dǎo)入MCU架構(gòu)，但包括德儀、意法、瑞薩等IDM廠產(chǎn)能不足因應(yīng)需求，導(dǎo)致交期延長至3個(gè)月以上，部份缺貨嚴(yán)重的料號交期更長達(dá)半年。隨著終端需求2018年上半年進(jìn)入淡季，加上晶圓代工產(chǎn)能支援，交期可望縮小至3個(gè)月以內(nèi)，但仍較安全交期的1～1.5個(gè)月長，盛群、新唐則受惠轉(zhuǎn)單，明年上半年?duì)I運(yùn)將淡季不淡。

 

國際IDM廠陸續(xù)淡出電腦及消費(fèi)性電子的中低壓MOSFET市場，產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至汽車電子中高壓MOSFET市場，或是轉(zhuǎn)向量產(chǎn)絕緣閘雙極電晶體（IGBT）或超接面（Super Junction）元件，所以中低壓MOSFET下半年嚴(yán)重缺貨，2018半年因無新產(chǎn)能支援，仍會維持供不應(yīng)求情況，但缺貨狀況會稍微好轉(zhuǎn)。\


本文關(guān)鍵詞：NAND Flash   NOR Flash

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