瑞薩高速SRAM*1 產(chǎn)品資料
2017-08-25 14:17:51
隨著互聯(lián)網(wǎng)的廣泛普及，傳輸速度和發(fā)送到通信設(shè)備的信息量也在不停添加，現(xiàn)在數(shù)據(jù)速率已經(jīng)超過了40Gb/s。檢查數(shù)據(jù)終點(diǎn)和管理高端網(wǎng)絡(luò)設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)包流量的需要不斷推動著對具有高速操作功能的大密度存儲器需求的增長。并且，數(shù)據(jù)復(fù)雜度也隨視頻、語音和數(shù)據(jù)應(yīng)用而不斷增加，因此需要更大的存儲容量。
現(xiàn)在，瑞薩提供了大量面向工業(yè)應(yīng)用和UNIX*3服務(wù)器與工作站內(nèi)高速緩沖存儲器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡(luò)SRAM以及面向通信設(shè)備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網(wǎng)絡(luò)設(shè)備性能和功能的不斷提高，瑞薩利用其設(shè)計專長和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的速度和高可靠性，從而滿足了通信應(yīng)用對高速、大容量和大位寬度的需求。
產(chǎn)品詳情
新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長度和位寬度組合，并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有杰出的散熱特性，適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達(dá)288Mb的密度無縫移植。并且，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過程中實(shí)現(xiàn)交叉連接檢查。
對于將來該領(lǐng)域的開發(fā)，瑞薩制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃，并致力于開發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。
本文關(guān)鍵詞：DDRII
SRAM 高速同步SRAM
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