全球半導(dǎo)體巨頭都在為下一代新型存儲(chǔ)器市場(chǎng)進(jìn)行劇烈競(jìng)爭(zhēng)，這也許會(huì)全面改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展前景，并成為未來(lái)半導(dǎo)體代工的首要業(yè)務(wù)之一。

   
雖然磁變存儲(chǔ)器（MRAM）在先前的技術(shù)節(jié)點(diǎn)展現(xiàn)了非揮發(fā)性、高可靠性以及可制造性，磁變存儲(chǔ)器以長(zhǎng)遠(yuǎn)的目光看來(lái)未來(lái)會(huì)是較受歡迎的技術(shù)。但在微縮至2xnm節(jié)點(diǎn)以及相容嵌入式存儲(chǔ)器的后段制程（BEOL）溫度時(shí)開(kāi)始面臨挑戰(zhàn)。

   
阻變存儲(chǔ)器（RRAM）和磁變存儲(chǔ)器（MRAM）具備相似的功能，二者都是后段校準(zhǔn)的存儲(chǔ)器，因此可以更易于實(shí)施在邏輯制程中。RRAM的堆疊更簡(jiǎn)單，因?yàn)樵陔姌O之間所需的材料較少。而且它并不需要像MRAM一樣的設(shè)備投資。

   
雖然阻變存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器等其他類(lèi)型的存儲(chǔ)器也都有其支持者，但這些存儲(chǔ)器都存在著微縮的問(wèn)題，難以達(dá)到28nmCMOS制程的要求。

   
三星電子正大力發(fā)展MRAM存儲(chǔ)器，而另一個(gè)半導(dǎo)體巨頭英特爾則是強(qiáng)攻含3DXPoint技術(shù)的PRAM型存儲(chǔ)器。臺(tái)積電現(xiàn)在已具備量產(chǎn)MRAM及阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等新型存儲(chǔ)器的技術(shù)和能力。

   
嵌入式存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體芯片中的作用十分重要，它為整個(gè)芯片提供的可互用特性決定了整個(gè)芯片的效率、速度和性能。唯有可靠的設(shè)計(jì)方法，才能設(shè)計(jì)出優(yōu)良的存儲(chǔ)器。

 
目前三星電子正大力發(fā)展eMRAM存儲(chǔ)器，三星的28nmFD-SOI（FullyDepletedSilicononInsulator）制程有eMRAM的選項(xiàng)，其中eMRAM的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)為2018年；而18nm的FD-SOI制程的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)將始于2020年，也有eMRAM的選項(xiàng)。歐洲最大半導(dǎo)體廠商-恩智浦半導(dǎo)體已經(jīng)決定采用三星電子的eMRAM存儲(chǔ)器，以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。

   
臺(tái)積電發(fā)布在2018年下半年于28nm制程中生產(chǎn)eMRAM。而GlobalFoundries也發(fā)布，計(jì)劃在2017年于22nmFD-SOI制程上提供eMRAM，2018年進(jìn)入量產(chǎn)。

  

本文關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器  MRAM   eMRAM

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