美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM，組織為1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封裝在48引腳TSOP（I型）中。
 
功能說明
SRAM是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。。
 
待機模式
取消選擇時，設(shè)備進入待機模式（HIGH或CS2 LOW或兩者都為HIGH）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。根據(jù)輸入電平，此模式下的電流消耗為ISB1或ISB2。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片時（LOW和CS2 HIGH），寫使能（）輸入LOW時的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。并啟用字節(jié)寫入功能。通過啟用LOW，來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
在地址引腳上指定。處于低電平時，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時（LOW和CS2為HIGH），寫使能（）輸入為HIGH時，讀操作出現(xiàn)問題。當(dāng)為低電平時，輸出緩沖器打開以進行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。并啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LOW，來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。處于低電平時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I / O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I / O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。
 
工作溫度范圍
商用工作溫度為0°C至+ 70°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V
工業(yè)工作溫度為-40°C至+ 85°C ，電壓為2.2V 3.3V 3.6V
汽車類工作溫度為 -40°C至+ 125°C，電壓為2.2V 3.3V 3.6V

ISSI 低功耗SRAM

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)	產(chǎn)品類型
16Mb	1Mx16	IS62WV102416ALL/BLL	1.65-3.6V	25,35	TSOP1(48),BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16	IS62WV102416EALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	BGA(48)	16Mb LP SRAM芯片
16Mb	1Mx16/2Mx8	IS62WV102416DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	TSOP1(48)	16Mb LP SRAM芯片
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)	8Mb LP SRAM芯片

本文關(guān)鍵詞：SRAM   低功耗SRAM   IS62WV1024

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