用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM
用MRAM替換nvSRAM的一般注意事項(xiàng)
每次使用
MRAM進(jìn)行寫(xiě)操作都會(huì)立即保持至少20年的非易失性。沒(méi)有數(shù)據(jù)從易失性存儲(chǔ)單元傳輸?shù)椒且资源鎯?chǔ)單元，也沒(méi)有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數(shù)據(jù)保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間，使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇，而不會(huì)影響系統(tǒng)性能。
Everspin是商業(yè)上可行的MRAM技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin MRAM產(chǎn)品出現(xiàn)在數(shù)百個(gè)需要高速，可靠，非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用中。
MR2A16A與CY14B104NA的比較
Everspin MRAM解決方案提供：
•始終非易失。沒(méi)有不可靠的電容器相關(guān)備用周期
•不需要Vcap或Vbatt
•立即斷電（<1ns），無(wú)數(shù)據(jù)丟失
•沒(méi)有復(fù)雜的軟件存儲(chǔ)/調(diào)用例程
•快速啟動(dòng)時(shí)間（2ms和20ms）
•無(wú)限的讀寫(xiě)周期-無(wú)磨損問(wèn)題
•20年數(shù)據(jù)保留，無(wú)循環(huán)依賴
•更少的組件意味著更小的設(shè)計(jì)尺寸和更低的BOM成本
兼容性
Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存儲(chǔ)器的引腳，時(shí)序和封裝分別與
CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。
時(shí)序兼容性
Everspin MRAM和nvSRAM都具有標(biāo)準(zhǔn)的兼容異步
SRAM時(shí)序。但是MRAM即使在斷電后無(wú)限制的時(shí)間和整個(gè)溫度循環(huán)中也可以保留數(shù)據(jù)。 MRAM具有35 ns的讀/寫(xiě)周期時(shí)間，與類似的nvSRAM速度等級(jí)選項(xiàng)兼容。
請(qǐng)務(wù)必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時(shí)間，從寫(xiě)使能（和芯片使能）高到地址無(wú)效。大多數(shù)微處理器可以容納這個(gè)保持時(shí)間。
Everspin MR2A16Axxx35x系列型號(hào)表格
|
Density |
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
MOQ(pcs)/ T&R |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
Commercial |
1,500 |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
Industrial |
1,500 |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP2 |
3.3V |
Extended |
1,500 |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP2 |
3.3V |
AEC-Q100 Grade 1 |
1,500 |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
Commercial |
2,000 |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
Industrial |
2,000 |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
Extended |
2,000 |
本文關(guān)鍵詞： MRAM
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