閃存目前最流行的非易失性存儲器NVM，但一些應(yīng)用程序開始采用其他類型的嵌入式NVM技術(shù)，因?yàn)榍度胧介W存無法超越28nm，也因?yàn)槠涑杀?、功耗和性能?yōu)勢。
 
    非易失性存儲器NVM包括ReRAM、PCM、MRAM和FRAM在內(nèi)的存儲器提供了替代方案。每種技術(shù)在成本、復(fù)雜性、功率和性能方面都有各自的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。MRAM存儲芯片供應(yīng)商英尚微簡單介紹關(guān)于MRAM。
 
    Everspin MRAM產(chǎn)品采用一個(gè)晶體管、一個(gè)磁性隧道結(jié)(MTJ)存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定磁性層、薄電介質(zhì)隧道勢壘和自由磁性層組成。當(dāng)向MTJ施加偏壓時(shí)，被磁性層自旋極化的電子通過稱為隧道效應(yīng)的過程穿過電介質(zhì)勢壘。
 
    MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，在單個(gè)無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性。
 
    MRAM的數(shù)據(jù)雖然是以磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲，但其讀取數(shù)據(jù)的方式是靠測量電阻來感知，對其磁性狀態(tài)不會造成干擾。MRAM作為新型非揮發(fā)性存儲器，在存取速度、次數(shù)和功耗上都較優(yōu)越，但要投入市場應(yīng)用，還需解決以下難題：寫或擦除數(shù)據(jù)時(shí)的磁性干擾問題；復(fù)雜的磁性材料薄膜制備工藝，且其薄膜厚度不容易控制，影響器件的均勻性；與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容方面，有待進(jìn)一步地優(yōu)化。

    我司英尚微電子提供代理MRAM、STT-MRAM、XSPI MRAM等存儲芯片，支持樣品和技術(shù)相關(guān)支持。提供的MRAM產(chǎn)品部署在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運(yùn)輸市場等。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM

上一篇文章：代碼和數(shù)據(jù)整合xSPI STT‐MRAM應(yīng)用場景

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。