靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非?？欤ǔＤ芤?0ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。
 
針對(duì)不同應(yīng)用市場(chǎng)的SRAM產(chǎn)品的技術(shù)呈現(xiàn)兩大趨勢(shì)：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫(xiě)速度快，SRAM存儲(chǔ)器被用作計(jì)算機(jī)中的高速緩存，提高它的讀寫(xiě)速度對(duì)于充分發(fā)揮微處理器的優(yōu)勢(shì)，改善處理器性能有著積極的意義。另一個(gè)是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場(chǎng)。本篇文章要介紹的是一款異步快速國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)器芯片EMI502HF08VM-10I。
 
偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502HF08VM-10I是一款位寬256K x 8的SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個(gè)輸出使能引腳，其運(yùn)行速度快于讀取周期的地址訪問(wèn)時(shí)間。而EMI502HF08VM-10I允許通過(guò)數(shù)據(jù)字節(jié)控制(UB,LB)訪問(wèn)上下字節(jié)?？焖僭L問(wèn)時(shí)間10ns，采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP-II封裝。
 
該器件采用先進(jìn)的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術(shù)制造，電源電壓范圍為5V，具備三態(tài)輸出和TTL兼容，支持工業(yè)溫度范圍和芯片規(guī)模封裝，專為高速電路技術(shù)而設(shè)計(jì)，該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以低數(shù)據(jù)保持電流實(shí)現(xiàn)電池備份操作。封裝采用標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2。。它是特別適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。EMI代理商英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品技術(shù)解決方案。


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