FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
   
富士通FRAM主要具備三大優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。比如FRAM寫入次數(shù)壽命高達(dá)10萬億次，而EEPROM僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成，速度約為EEPROM的1/30,000。寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ，約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中具有巨大的優(yōu)勢。富士通代理英尚微電子支持提供樣品及產(chǎn)品技術(shù)支持等服務(wù)。
 
經(jīng)過市場的長期廣泛驗(yàn)證以及技術(shù)的不斷突破，富士通FRAM產(chǎn)品已成功應(yīng)用于諸多行業(yè)領(lǐng)域。近些年來，隨著IoT以及汽車電氣化等趨勢不斷涌現(xiàn)，富士通進(jìn)一步推出更低功耗、或者車規(guī)級的FRAM產(chǎn)品，適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、汽車電子等行業(yè)發(fā)展，為客戶提供高質(zhì)量、高可靠性的解決方案。
 
在汽車電子領(lǐng)域的BMS應(yīng)用，采用富士通型號MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM產(chǎn)品用于其自主研發(fā)BMS系統(tǒng)中。同時，業(yè)界知名的一家意大利FI輪胎制造廠商亦采用富士通FRAM產(chǎn)品用于胎壓監(jiān)測。憑借高耐久性、高速寫入、高可靠性的特性，與通過車規(guī)級認(rèn)證的產(chǎn)品優(yōu)勢，富士通FRAM成為賦能關(guān)鍵型汽車應(yīng)用的外掛存儲器首選。
 
除了車規(guī)級鐵電存儲器FRAM產(chǎn)品賦能汽車電子應(yīng)用外，富士通FRAM具備高燒寫耐久性以及低功耗等特性，適用于系統(tǒng)網(wǎng)關(guān)(Gateway)中記錄與存儲重要的數(shù)據(jù)。高可靠性FRAM更是適用于高端醫(yī)療領(lǐng)域的為數(shù)不多的電子產(chǎn)品之一。目前富士通鐵電存儲器FRAM已成功應(yīng)用在CT掃描機(jī)、監(jiān)護(hù)儀、自動CPAP(連續(xù)正氣道壓力)設(shè)備、助聽器、醫(yī)療電子標(biāo)簽等產(chǎn)品中，提高醫(yī)療行業(yè)的生產(chǎn)效率。


本文關(guān)鍵詞：FRAM

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