在設(shè)計(jì)使用NAND FLASH的系統(tǒng)時(shí)選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?。閃存控制器還必須足夠靈活以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。
 
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)樾⌒?，低功耗且?jiān)固耐用。盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ)，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí)，需要考慮許多重要特性。這些特性適用于所有類型的存儲(chǔ)，包括耐用性和密度以及性能，每千兆字節(jié)價(jià)格，錯(cuò)誤概率和數(shù)據(jù)保留。
 
閃存概述
閃存單元由修改的場效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。這會(huì)改變打開晶體管所需的柵極電壓，該電壓代表存儲(chǔ)在單元中的值。這些單元的陣列構(gòu)成一個(gè)塊，整個(gè)存儲(chǔ)器由多個(gè)塊組成。
 
由于浮柵完全被絕緣層包圍，因此即使斷電，也會(huì)保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

   
閃存陣列的簡化圖。黃色框突出顯示die，淺灰色為plane，深藍(lán)色為塊，淺藍(lán)色框則為page。該圖僅用于可視化層次結(jié)構(gòu)，而不能按比例繪制。（HyperstoneYoutube頻道有更加詳細(xì)說明）
 
NAND FLASH的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是管理使用可用頁面寫入數(shù)據(jù)的方式。在將新數(shù)據(jù)寫入頁面之前，必須先擦除該頁面。但是，只能擦除包含許多頁面而不是單個(gè)頁面的整個(gè)塊。此過程很復(fù)雜，由單獨(dú)的設(shè)備（稱為閃存控制器）進(jìn)行管理?？刂破餍枰龃罅抗ぷ鞑拍茏钣行У乩瞄W存：管理數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)位置和塊的重復(fù)使用方式。
 
閃存編程和耐久性
每次對單元進(jìn)行編程和擦除時(shí)，浮柵下的絕緣層都會(huì)受到輕微損壞，從而影響存儲(chǔ)單元的可靠性。每個(gè)單元具備有限的保證編程擦除周期數(shù)量，這被稱為持久性。這種耐久性可有效測定存儲(chǔ)器的壽命。憑借閃存控制器，可以通過仔細(xì)管理塊的使用方式，達(dá)到最大限度化提高有限的耐用性，以確保它們均被平等地使用。這是由閃存應(yīng)用的一種技術(shù)，稱為損耗平衡。盡可能減少開銷量也很重要，從而達(dá)到寫入放大。
 
內(nèi)存的壽命也可以通過預(yù)留空間來延長，這會(huì)減少用戶可見的內(nèi)存并增加備用內(nèi)存。額外的容量在應(yīng)用損耗均衡時(shí)提供更多靈活性，因?yàn)槿哂嗳菰S有些塊無法用超出容量的塊來取代。但是由于增加冗余塊會(huì)降低有效存儲(chǔ)容量，因此反過來會(huì)增加每位的有效成本。
 
增加存儲(chǔ)密度
選擇存儲(chǔ)技術(shù)時(shí)，考慮的主因之一是管理每GB的成本。硅芯片的制造成本幾乎完全取決于面積，而不是功能。因此可以通過提供特定容量所需的面積來降低每GB閃存的成本。最可行的辦法是通過轉(zhuǎn)往更小的制造工藝來減小存儲(chǔ)單元的尺寸。但是閃存的物理性質(zhì)限制了這種縮放比例，因此閃存供應(yīng)商已轉(zhuǎn)向其他方法來提高密度。
 
第一步是在每個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)兩位而不是一個(gè)位。這就是所謂的多級單元（MLC）閃存。從那時(shí)起就已經(jīng)制造出在三級單元（TLC） 中存儲(chǔ)三位并且在四級單元（QLC）中存儲(chǔ)四位的閃存。內(nèi)存的原始類型現(xiàn)在稱為單級單元（SLC）。

 
 
 
本文關(guān)鍵詞： NOR FLASH

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