ISSI現(xiàn)在正在生產(chǎn)32Mb高速低功耗異步SRAM，這是我們SRAM產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品。這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長(zhǎng)期承諾。
 
32Mb SRAM在汽車(chē)A3溫度范圍（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的訪問(wèn)時(shí)間。
 
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。
 
這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS＃為高電平（取消選擇）時(shí)，器件將進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，可以通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)（UB＃）和低字節(jié)（LB＃）。
 
該器件采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP（TYPE I）和48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝，應(yīng)用范圍在汽車(chē)/工業(yè)/醫(yī)療/電信/網(wǎng)絡(luò)等。

	IS61WV204816BLL (I)	IS64WV204816BLL (A3)	注釋
溫度支持	工業(yè) (-40°C to +85°C)	汽車(chē) (-40°C to +125°C)
技術(shù)	40nm	40nm
電源電壓	2.4V ~ 3.6V	2.4V ~ 3.6V
工作電流（最大）	100mA	135mA
待機(jī)電流（Typ）	10mA	10mA
包裝	TSOP-I（48針） BGA（48球）	TSOP-I（48針） BGA（48球）	引腳兼容 16Mb異步SRAM
速度	10ns	12ns
銅引線(xiàn)框	是	是
無(wú)鉛PKG	是	是	符合RoHS

 
SRAM存儲(chǔ)器是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器之一。每個(gè)字節(jié)或字都有一個(gè)地址，可以隨機(jī)訪問(wèn)。 SRAM支持三種不同的模式。每個(gè)功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
 
待機(jī)模式
取消選擇時(shí)，設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式（CS＃高）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫(xiě)模式
選擇芯片（CS＃）且寫(xiě)使能（WE＃）輸入為L(zhǎng)OW時(shí)發(fā)生寫(xiě)操作問(wèn)題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE＃為L(zhǎng)OW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會(huì)關(guān)閉。 UB＃和LB＃啟用字節(jié)寫(xiě)入功能。通過(guò)將LB＃設(shè)為低電平，將來(lái)自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數(shù)據(jù)寫(xiě)入地址引腳上指定的位置。且UB＃為低電平時(shí)，來(lái)自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數(shù)據(jù)被寫(xiě)入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時(shí)（CS＃為低電平），寫(xiě)使能（WE＃）輸入為高電平時(shí)，讀操作出現(xiàn)問(wèn)題。當(dāng)OE＃為L(zhǎng)OW時(shí)，輸出緩沖器打開(kāi)以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對(duì)I / O引腳進(jìn)行任何輸入。 UB＃和LB＃啟用字節(jié)讀取功能。通過(guò)啟用LB＃LOW，來(lái)自?xún)?nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。且UB＃為低電平時(shí)，來(lái)自?xún)?nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過(guò)將OE＃拉高來(lái)關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下，內(nèi)部設(shè)備作為READ操作，但I(xiàn) / O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。
 
上電初始化
該器件包括用于啟動(dòng)上電初始化過(guò)程的片上電壓傳感器。
當(dāng)VDD達(dá)到穩(wěn)定水平時(shí)，器件需要150us的tPU（上電時(shí)間）來(lái)完成其自初始化過(guò)程。
初始化完成后，設(shè)備即可正常運(yùn)行。


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