Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點的MRAM產(chǎn)品。下面要介紹關(guān)于everspin公司MRAM演示軟件分析
 
everspin公司MRAM演示軟件分析

MRAM低級驅(qū)動程序通過操作系統(tǒng)和調(diào)度程序集成到動力總成應(yīng)用程序中。讀寫周期由系統(tǒng)時鐘（300MHz）測量。圖1＆2顯示了針對動力總成應(yīng)用的具有不同非易失性存儲器接口的每個分區(qū)的讀/寫時間。這些表顯示大多數(shù)讀/寫周期小于2ms。毫不奇怪，該表確認(rèn)35ns并行接口以比40MHz串口串行mram更快的速率傳輸數(shù)據(jù)。
   
使用SPI MRAM時，由于微控制器的硬件延遲（緩沖區(qū)接收/發(fā)送，設(shè)置/清除標(biāo)志，讀/寫存儲器）以及MRAM和微控制器總線之間的同步，因此讀周期要比寫周期花費(fèi)更長的時間，與并行MRAM類似，寫入周期比讀取周期要花費(fèi)更長的時間。1＆2中顯示的值包括硬件收發(fā)器，硬件延遲（收發(fā)器緩沖區(qū)，讀/寫存儲器），LLD軟件延遲以及MRAM與動力總成微控制器之間的同步。
 
我們用EBI和SPI接口設(shè)備驗證了不同的動力總成工作模式。 在整個地址空間范圍內(nèi)讀寫各種類型的數(shù)據(jù)。通常，MRAM的操作和時序類似于32位微控制器的規(guī)范和時序。 而且，與DLFASH相比，當(dāng)今的非易失性存儲器可以接受MRAM設(shè)備的性能和吞吐量。


everspin 128K 串口串行mram型號如下

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570
128Kb	16Kx8	MR25H128APDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570
128Kb	16Kx8	MR25H128APDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDF	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570

本文關(guān)鍵詞： everspin   串口串行mram

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