目前，聯(lián)發(fā)科正在使用臺積電的10nm工藝生產(chǎn)其用于高端智能手機的芯片-Helio X30，不僅如此，聯(lián)發(fā)科的大部分其它產(chǎn)品也是使用臺積電的各種制造工藝生產(chǎn)的。
         據(jù)報道，聯(lián)發(fā)科計劃以后依然會將芯片交給臺積電代工，其實這也很正常，因為這兩家臺灣本土公司一直以來合作關系良好，而且也沒有什么特別的理由能讓聯(lián)發(fā)科拋棄臺積電。
         現(xiàn)在更值得關注的是，在高端旗艦機處理器上以絕對優(yōu)勢一直碾壓聯(lián)發(fā)科的移動一哥高通(最近，聯(lián)發(fā)科的高管承認其X30正在成為一顆商業(yè)上的啞彈)，會在它接下來的產(chǎn)品上使用哪家代工廠的哪種工藝。
        下一代驍龍?zhí)幚砥鲗⒃谀睦镏圃?
        一直以來，高通都是在臺積電制造其旗艦驍龍?zhí)幚砥?。但是，從驍?20/821開始，高通就改變主意了，投向了三星的懷抱。
        高通目前仍在和三星合作打造其旗艦芯片，最近發(fā)布的Snapdragon 835旗艦處理器采用了三星公司的10納米LPE(“早期低功耗版本”)工藝進行制造。
         不過，有一個大的開放性問題，即是：驍龍835的下一代將在哪里制造，采用什么工藝?
         一方面，如果高通繼續(xù)和三星保持合作關系，我們可以猜測到下一代Snapdragon將使用三星的性能增強型10納米工藝，稱為10納米LPP(“低功率增強版本”)。 這項技術不會縮小硅片面積，但三星表示，它在性能上將明顯超越10納米LPE工藝。高通可以利用這個工藝，再加上改進架構，增強功能，就能打造出一個引人注目的下一代旗艦驍龍芯片。
        與此同時，臺積電即將推出的7納米產(chǎn)品，預計將很快進入風險生產(chǎn)階段，將于2018年上半年正式投產(chǎn)。臺積電許諾，該7nm工藝將在性能上顯著超越自家的10nm工藝(可能也會超越三星的10nm工藝，假設臺積電和三星的10nm工藝性能相當?shù)脑?，同時減小了存儲芯片的面積。
        如果高通公司回頭使用臺積電的7納米工藝，那么這可能意味著臺積電的收入將獲得不錯的增長，因為高通的高端智能手機芯片的出貨量相當龐大。然而，如果高通仍然堅持使用三星的制造技術，其實也不奇怪，因為三星是高通的高端處理器芯片的重要買家。
         在高通公司確實選擇與三星合作推出高端智能手機芯片的情況下，臺積電可能將聯(lián)發(fā)科視為一個重要的戰(zhàn)略合作伙伴，它可以憑借聯(lián)發(fā)科重新獲得優(yōu)質的Android智能手機芯片份額。
         不過，畢竟高通公司在高端智能手機芯片市場占據(jù)主導地位，如果它的旗艦驍龍芯片都由三星制造，臺積電想在這一領域重新獲得市場份額，只有如下兩個方法：
1、與設計自己的芯片，將之用于與搭載高通旗艦芯片的高端智能手機競爭的手機(比如iPhone)廠商合作;
2、與和自己合作打造通用商品芯片的芯片制造商分享收益。
臺積電第一個方法落實得很好(它為iPhone、華為高端智能手機制造芯片，甚至包括小米的澎湃S1)，但它第二個方法還沒有見到實效。
 

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