MCU微控制器作為一個需要集成的CPU，SRAM，最常見的存儲方式主要包括非易失性存儲器及其專用外設(shè)芯片eDRAM，SRAM易失性存儲器，閃存，EEPROM非易失性存儲器，其中集成閃存是MCU主要特點。隨著時間的推移，閃存逐漸開始成為一種約束MCU提高性能、降低功耗的瓶頸之一。
 
MRAM數(shù)據(jù)存儲時間比閃存更長，MRAM與其他新興的非揮發(fā)性技術(shù)相比，編程人員可以靈活地應(yīng)用內(nèi)存。工程師不再需要將程序代碼限制在內(nèi)NOR大小或限定數(shù)據(jù)只能在SRAM的大小，不僅優(yōu)化了設(shè)計，而且通過讓同樣的基于MRAM的MCU在多種應(yīng)用中，可以為一些客戶降低成本。
 
MRAM技術(shù)是STT-MRAM，做為MRAM一種變體，其周圍電子的自旋會影響MTJ極性。以其他方式的MRAM相比，STT-MRAM具有低功耗和進(jìn)一步擴(kuò)展的能力，雖然STT-MRAM具有與DRAM和SRAM相當(dāng)特性，例如電源關(guān)閉，信息也不會丟失，和DRAM一樣可隨機(jī)存?。豢刹翆戭l率超過1015次，和DRAM及SRAM相當(dāng)，大大超過了105次閃存等，但它似乎也可以在10nm完成以下過程，5nm引入技術(shù)節(jié)點STT-MRAM作為最后一級(L3)緩存存儲器的可行性，所以很多人認(rèn)為，STT-MRAM會改變“存儲器(硬盤和NAND閃存)是非易失性、更高層次的內(nèi)存（DRAM及SRAM）為易失性”傳統(tǒng)的計算機(jī)架構(gòu)，是領(lǐng)先的存儲技術(shù)之一。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,MRAM,DRAM

相關(guān)文章：?SDRAM與SRAM進(jìn)行比較時的常見問題

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。