IPM內(nèi)置了驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，使系統(tǒng)硬件電路更簡(jiǎn)單可靠，不僅縮短系統(tǒng)開(kāi)發(fā)周期，而且提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面得到進(jìn)一步的提升。
 
此方案高達(dá)12萬(wàn)高轉(zhuǎn)速，利用高轉(zhuǎn)速產(chǎn)生的大風(fēng)量來(lái)快速吹干頭發(fā)，高轉(zhuǎn)速也使得電機(jī)與葉輪的體積縮小,便于設(shè)計(jì)出靈巧便攜的外形。輸入電壓110Vac/220Vac；驅(qū)動(dòng)方式采用單電阻無(wú)感FOC弦波。高電流密度、低飽和電壓和耐高壓以及MOSFET；高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率；支持發(fā)熱絲控制，負(fù)離子模塊;支持按鍵檔位，LED顯示;支持過(guò)溫、過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、堵轉(zhuǎn)、短路等故障保護(hù)。關(guān)于更多產(chǎn)品應(yīng)用方案，歡迎垂詢(xún)英尚微電子。
 
IPM方案優(yōu)勢(shì)
•行業(yè)最高配的MCU方案，基于32位ARM M4核，120MHZ主頻。
•成熟無(wú)感FOC矢量控制算法。
•解決風(fēng)筒腔體空間狹小的痛點(diǎn)，方便工程師對(duì)產(chǎn)品靈活設(shè)計(jì)，
•可實(shí)現(xiàn)30KHZ開(kāi)關(guān)頻率單電阻FOC。
•超高速驅(qū)動(dòng)方案設(shè)計(jì)優(yōu)化。


本文關(guān)鍵詞：MCU,電機(jī)控制

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