世界上最早的全電子化存儲(chǔ)器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。從那時(shí)起，計(jì)算機(jī)內(nèi)存開始使用磁存儲(chǔ)技術(shù)并經(jīng)歷了數(shù)代演變，相關(guān)系統(tǒng)包括磁鼓存儲(chǔ)器、磁芯存儲(chǔ)器、磁帶驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。
 
計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上緩存。已經(jīng)歷了數(shù)十年的發(fā)展。SRAM不需要周期性刷新就能鎖存“0”和“1”信號(hào)，影響其發(fā)展的主要因素則是單元面積和讀取速度。
 
MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用，MCU一般情況下配置有1~2MB雙塊Flash存儲(chǔ)器和256KB SRAM，在某些應(yīng)用設(shè)計(jì)中會(huì)出現(xiàn)內(nèi)置RAM不足的情況，需要對STM32單片機(jī)進(jìn)行外擴(kuò)RAM的處理，可以選擇更換更高RAM容量的單片機(jī)，除了價(jià)格貴還需要涉及其他被動(dòng)器件的更改，STM32系列可以通過FMSC接口外擴(kuò)并口SRAM，比如采用國產(chǎn)SRAM芯片EMI7064.
 
我司英尚微介紹以下SRAM芯片作為外擴(kuò)的考慮
 
1.串口SRAM芯片：這種封裝是SOP-8的串口SRAM芯片，一般推薦用EMI7064這一款，容量可以達(dá)到64Mbit,占用占用單片機(jī)的I/O腳位比較少，較多的應(yīng)用在各類產(chǎn)品中，性價(jià)比比較高的一款SRAM芯片產(chǎn)品。
 
2.并口SRAM芯片：一般并口SRAM芯片占用單片機(jī)的I/O腳位比較多，可能在應(yīng)用設(shè)計(jì)中需要讀取速度較快的可以考慮用這種，數(shù)據(jù)讀取速度可以達(dá)到8NS，因?yàn)槭菍儆诹鶄€(gè)晶體管的設(shè)計(jì)，在價(jià)格上比較貴，適合用于以下大型工控類產(chǎn)品，服務(wù)器，金融醫(yī)療等產(chǎn)品。
 
3. 偽靜態(tài)SRAM芯片（也稱PSRAM）：這款封裝一般是BGA的，容量同樣可以達(dá)到64Mbit,速度一般在70ns左右，價(jià)格相對比并口SRAM芯片要便宜。
 
總體來看，一般看應(yīng)用設(shè)計(jì)對外擴(kuò)SRAM芯片的數(shù)據(jù)讀取速度要求多少，容量以及性價(jià)比來選擇SRAM芯片。

Part Number	Vcc Range	MHz (max)	Density	Temp. Ranges	Package
EMI7064LSME	1.6V~2.0V	20	64Mb	-25°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064MSMI	2.7V~3.3V	20	64Mb	-40°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064MSME	2.7V~3.3V	20	64Mb	-25°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064LSMI	1.6V~2.0V	20	64Mb	-40°C~+85°C	8pin SOIC

本文關(guān)鍵詞：MCU,外擴(kuò)SRAM,SRAM,EMI7064

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