內(nèi)存被視為一種必要的技術(shù)，然而工廠自動化、自動駕駛汽車、便攜式醫(yī)療設(shè)備、邊緣計算和物聯(lián)網(wǎng)傳感器等新應(yīng)用正在迫使性能要求發(fā)生變化。因此用于評估和選擇特定應(yīng)用程序內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)也發(fā)生了變化。
 
NAND、NOR和FRAM在各種應(yīng)用中都有不同的優(yōu)勢。由于這些解決方案中的每一個都有針對特定目標(biāo)應(yīng)用程序的獨特功能集，因此確定哪種類型的內(nèi)存解決方案可為所需應(yīng)用程序提供最佳性能和可靠性非常重要。數(shù)據(jù)中心、計算機和消費設(shè)備中的海量存儲需要最高的密度和最低的每比特成本，通常由NAND閃存支持。嵌入式計算機存儲啟動代碼和事務(wù)數(shù)據(jù)，通常在NORFlash中可用。數(shù)據(jù)記錄器、傳感器和邊緣計算機在長時間內(nèi)捕獲快速變化的數(shù)據(jù)使用專門的技術(shù)，例如鐵電RAM(FRAM)。
 
讓我們看看哪些內(nèi)存與這些工作負載相匹配：
 
NAND閃存
NAND FLASH常見于數(shù)據(jù)中心、云服務(wù)器和消費設(shè)備中。它的高密度使其成為這些任務(wù)的理想選擇，并且由于更好的工藝和幾何收縮，技術(shù)得到了改進。每GB成本繼續(xù)下降，讀/寫性能繼續(xù)表現(xiàn)良好。但是這種解決方案也存在一定的局限性：每個編程/擦除周期都會對單元的小尺寸造成壓力，從而降低其耐用性，并且尺寸也意味著大約10年的數(shù)據(jù)保留時間低于其他內(nèi)存解決方案。
 
NOR閃存
NOR Flash具有用于保留長數(shù)據(jù)的大型存儲單元和字節(jié)可尋址架構(gòu)，因此非常適合用于引導(dǎo)代碼，其中包括就地執(zhí)行系統(tǒng)和事務(wù)數(shù)據(jù)。NOR可靠且易于使用，其最新改進為故障安全操作提供功能安全和安全啟動工具。對于汽車儀表盤和其他功能，NOR可以支持快速讀取和即時啟動功能。但是NOR密度低于NAND。
 
FRAM內(nèi)存
FRAM非常適合需要通過使用較少的功率長時間連續(xù)捕獲數(shù)據(jù)的設(shè)備。存儲單元交替極性，使用最少的能量來延長電池壽命并提供近乎無限的耐用性。FRAM還消除了能量或電荷泄漏問題，因此數(shù)據(jù)保留至少可以持續(xù)100年。與普遍看法相反，F(xiàn)RAM不會被磁場干擾；然而它的密度無法支持編碼和海量存儲需求。
 
歸結(jié)為：選擇合適的內(nèi)存有助于確保產(chǎn)品的成功。NAND閃存非常適合云計算和個人電子產(chǎn)品中常見的海量存儲工作負載。相比之下，NOR Flash和FRAM適用于嵌入式系統(tǒng)和邊緣設(shè)備，它們通常位于極端和偏遠的環(huán)境中。隨著邊緣計算的發(fā)展，人工智能的進步正在推動新功能的發(fā)展，并提高對提高故障安全操作標(biāo)準(zhǔn)的需求，這反過來迫使制造商提供具有安全和安保功能的NOR Flash和FRAM。內(nèi)存存儲芯片供應(yīng)商英尚微電子可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持.


本文關(guān)鍵詞： NAND FLASH,FRAM

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